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辐射源和光刻设备专利登记公告


专利名称:辐射源和光刻设备

摘要:一种辐射源(SO)配置成生成极紫外辐射。所述辐射源(SO)包括等离子体形成部位(2),所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束(5)接触而形成等离子体所在的位置;出口(16),所述出口配置成允许气体出离辐射源(SO);和污染物阱(23),所述污染物阱至少部分地位于所述出口(16)内部。所述污染物阱(23)配置成俘获由生成等离子体所产生的碎片粒子。

专利类型:发明专利

专利号:CN200980134710.0

专利申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司

专利发明(设计)人:A·亚库宁;V·班尼恩;V·伊万诺夫;E·?#31216;?#26031;特拉;V·克里夫特苏恩;G·斯温克尔斯;D·兰贝特斯基

主权项:一种辐射源,所述辐射源配置成生成极紫外辐射,所述辐射源包括:等离子体形成部位,所述等离子体形成部位在燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置处;出口,所述出口配置成允许气体出离辐射源;和污染物阱,所述污染物阱至少部分地位于所述出口内部,所述污染物阱配置成俘获由形成等离子体所产生的碎片粒子。

专利地区:荷兰

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