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輻射源和光刻設備專利登記公告


專利名稱:輻射源和光刻設備

摘要:一種輻射源(SO)配置成生成極紫外輻射。所述輻射源(SO)包括等離子體形成部位(2),所述等離子體形成部位位于燃料將通過與輻射束(5)接觸而形成等離子體所在的位置;出口(16),所述出口配置成允許氣體出離輻射源(SO);和污染物阱(23),所述污染物阱至少部分地位于所述出口(16)內部。所述污染物阱(23)配置成俘獲由生成等離子體所產生的碎片粒子。

專利類型:發明專利

專利號:CN200980134710.0

專利申請(專利權)人:ASML荷蘭有限公司

專利發明(設計)人:A·亞庫寧;V·班尼恩;V·伊萬諾夫;E·魯普斯特拉;V·克里夫特蘇恩;G·斯溫克爾斯;D·蘭貝特斯基

主權項:一種輻射源,所述輻射源配置成生成極紫外輻射,所述輻射源包括:等離子體形成部位,所述等離子體形成部位在燃料將通過與輻射束接觸而形成等離子體所在的位置處;出口,所述出口配置成允許氣體出離輻射源;和污染物阱,所述污染物阱至少部分地位于所述出口內部,所述污染物阱配置成俘獲由形成等離子體所產生的碎片粒子。

專利地區:荷蘭

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